在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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芯片型号是 Rockchip RKnano D。我去搜，找到了一份 Spec，但 Spec 只有硬件层面的参数，没有指令集。TRM 才是真正需要的东西，但搜遍常规渠道，什么都没有。搜索过程中找到一个日本人的网站，上面列出了两条 URL，分别指向硬件文档和指令集文档。点进去之后赫然弹出了一个 404。